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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.0
16.0
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3082
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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