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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3082
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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