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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 67
    左右 33% 更低的延时
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 67
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 9.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 1879

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Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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内存RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Super Talent F26UB16GH 16GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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