RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
67
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
67
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
1879
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link