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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
13.8
写入速度,GB/s
8.0
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2415
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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