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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
58
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
58
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2125
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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