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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.1
7.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
4.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
11.1
7.1
写入速度,GB/s
8.2
4.2
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
969
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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