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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.3
17.2
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3425
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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