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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3266
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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