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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
18.8
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3458
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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