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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
12.3
12.5
写入速度,GB/s
7.3
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2609
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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