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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
差异
规格
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
35
读取速度,GB/s
12.3
13.7
写入速度,GB/s
8.0
9.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2636
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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