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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
17.7
写入速度,GB/s
8.0
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3304
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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