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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
12.3
16.0
写入速度,GB/s
8.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2843
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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