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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2741
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
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