RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2741
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link