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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
8.0
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3058
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
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