RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3058
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link