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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3446
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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