RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3446
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link