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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
14.8
写入速度,GB/s
8.0
8.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2458
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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