RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
45
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
39
读取速度,GB/s
12.3
13.8
写入速度,GB/s
8.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2971
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link