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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
45
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
22
读取速度,GB/s
12.3
20.3
写入速度,GB/s
8.0
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
4116
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT2TXRG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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