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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
45
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
20
读取速度,GB/s
12.3
19.1
写入速度,GB/s
8.0
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3506
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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