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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
45
左右 -150% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
18
读取速度,GB/s
12.3
20.3
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3431
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
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