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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
总分
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
36
读取速度,GB/s
17.8
13.8
写入速度,GB/s
10.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2771
2550
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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