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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
4,595.2
16.1
写入速度,GB/s
2,168.2
13.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3022
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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