RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
60
Autour de -94% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3022
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link