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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.3
17.5
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3438
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
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