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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905678-110.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
12.3
14.3
写入速度,GB/s
8.0
6.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2101
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
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