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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
57
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
57
读取速度,GB/s
12.3
15.1
写入速度,GB/s
8.0
10.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2276
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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