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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.3
17.8
写入速度,GB/s
8.0
14.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3617
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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