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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
104
左右 -395% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
21
读取速度,GB/s
3,192.0
21.4
写入速度,GB/s
2,404.5
17.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3954
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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