RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
104
Wokół strony -395% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3954
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link