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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.3
14.2
写入速度,GB/s
8.0
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2890
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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