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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.3
11.8
写入速度,GB/s
8.0
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2585
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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