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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
8.9
写入速度,GB/s
8.0
6.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2206
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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