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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
4,937.3
17.6
写入速度,GB/s
2,061.2
13.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3188
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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