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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
12.3
15.8
写入速度,GB/s
8.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2417
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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