RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2417
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link