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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
12.3
15.8
写入速度,GB/s
8.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2761
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
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