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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
48
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
48
读取速度,GB/s
12.3
10.8
写入速度,GB/s
8.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2431
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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