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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
54
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
54
读取速度,GB/s
12.3
10.9
写入速度,GB/s
8.0
9.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2176
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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