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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
48
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
40
读取速度,GB/s
8.9
15.0
写入速度,GB/s
5.9
16.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3119
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
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