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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
73
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
73
读取速度,GB/s
8.9
14.8
写入速度,GB/s
5.9
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1638
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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