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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
76
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
76
读取速度,GB/s
8.9
13.5
写入速度,GB/s
5.9
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1587
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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