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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
19.4
写入速度,GB/s
5.9
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3646
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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