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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
31
读取速度,GB/s
8.9
16.8
写入速度,GB/s
5.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3154
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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