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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
48
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
35
读取速度,GB/s
8.9
16.3
写入速度,GB/s
5.9
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3314
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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