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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
18.9
写入速度,GB/s
5.9
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3456
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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